Ga2O3深紫外图像传感器研究取得进展
日期:2022-07-22 10:25
  中国科学院微电子研究所重点实验室与中国科学技术大学合作,首次实现基于超宽禁带半导体材料Ga2O3的背照式主动紫外图像传感器阵列,并在极弱光照条件下实现了成像。
  紫外成像在航天与医疗等领域颇具应用价值。目前,高性能、低成本的紫外成像芯片难以获得。同时,基于Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ等宽禁带半导体的紫外探测器难以与Si基读出电路实现大规模集成,这限制了高性能紫外成像芯片的制造与应用。
  氧化镓是一种无机化合物,化学式为Ga2O3。别名三氧化二镓,是一种宽禁带半导体,其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3
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