Ga2O3深紫外图像传感器研究取得进展
日期:2022-07-22 10:25
是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景 ,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片,它还可以用作O2化学探测器。
  研究采用CMOS工艺兼容的IGZO TFT驱动Ga2O3紫外探测器,实现单片集成3232紫外成像阵列。IGZO TFT器件表现出极低的漏电和驱动能力以及在正负偏压下良好的稳定性。Ga2O3探测器具有极低的噪声,对紫外光表现出极高的灵敏度,可实现对低至1pW/cm2的紫外光进行探测。
  通过外围电路进行信号读取和处理,该图像传感器实现了在弱光下的成像应用。该成果为基于Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ等材料的可扩展
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